复旦团队突破超快闪存技术

人工智能的发展急需高速非易失存储技术。传统闪存编程速度慢，难以满足需求。复旦大学周鹏-刘春森团队研究发现，采用二维半导体结构能将存储速度提高千倍以上，达到纳秒级。然而，如何规模化集成并应用于实际是一大难题。

近日，该团队在国际上首次成功验证了1Kb纳秒级超快闪存阵列集成，并证明了其超快特性在亚10纳米尺度依旧稳定。成果以《二维超快闪存的规模集成工艺》为题发表于《自然-电子学》。团队开发出超界面工程技术，实现了原子级平整度的异质界面，集成工艺显著领先国际水平。测试显示，在1Kb存储规模中，非易失编程速度达纳秒级时，良率高达98%，超过了国际半导体技术路线图对闪存制造89.5%的要求。

此外，团队还研发出自对准工艺，无需依赖先进光刻设备，结合原创的超快存储叠层电场设计理论，成功制备出沟道长度仅8纳米的超快闪存器件，刷新了国际纪录，打破了硅基闪存15纳米的物理尺寸极限。这种超小尺寸器件拥有20纳秒超快编程速度、10年非易失性和十万次循环寿命，有望加速超快闪存技术的产业化进程。