复旦团队突破纳秒级闪存技术

人工智能的发展急需更快的非易失存储技术。目前主流闪存编程速度在百微秒级别，难以满足需求。复旦大学周鹏-刘春森团队的研究表明，采用二维半导体结构能将速度提高一千倍以上，达到纳秒级。但实现大规模集成和实际应用仍有难度。

团队在国际上首次成功验证了1Kb规模的纳秒级超快闪存阵列，且其超快特性可扩展到亚10纳米尺度。这项成果已发表在《自然-电子学》杂志上。他们通过超界面工程技术，在二维闪存中实现了原子级平整的异质界面，集成工艺远超国际水平。测试结果显示，新机制闪存在1Kb存储规模下，非易失编程速度达到纳秒级时，良率高达98%，超过了国际半导体技术路线图对闪存制造的要求。

此外，团队还研发了不依赖高端光刻设备的自对准工艺，结合超快存储叠层电场设计理论，成功制备出沟道长度仅8纳米的超快闪存器件，这是当前国际上沟道最短的闪存器件，并打破了硅基闪存15纳米的物理尺寸极限。这种超小尺寸器件不仅具备20纳秒的超快编程速度，还能保持数据长达10年，循环寿命超过十万次，支持多态存储。

这项工作将有力推动超快闪存技术的产业化进程。论文由复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室的刘春森研究员和微电子学院的周鹏教授担任通讯作者，刘春森研究员及两位博士生为共同第一作者。研究得到了多个国家级项目的支持。